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肖特基二极管和快规复二极管有甚么区分呢,详解!

信息来历:本站 日期:2017-10-09 

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快规复二极管(简称FRD)是一种具备开关特征好、反向规复时候短特色的半导体二极管,首要操纵于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管操纵。

快规复二极管的外部布局与通俗PN结二极管差别,它属于PIN结型二极管,即在P型硅资料与N型硅资料中间增添了基区I,组成PIN硅片。因基区很薄,反向规复电荷很小,以是快规复二极管的反向规复时候较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。

快规复二极管

凡是,5~20A的快规复二极管管接纳TO–220FP塑料封装,20A以上的大功率快规复二极管接纳顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装,5A以下的快规复二极管则接纳DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。

接纳TO–220或TO–3P封装的大功率快规复二极管,有单管和双管之分。双管的管脚引出体例又分为共阳和共阴。

1.机能特色

1)反向规复时候

反向规复时候tr的界说是:电流经由进程零点由正向转换到划定低值的时候距离。它是权衡高频续流及整流器件机能的首要手艺目标。反向规复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,IRM为最大反向规复电流。Irr为反向规复电流,凡是划定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,因为整流器件上的正向电压俄然变成反向电压,因此正向电流敏捷下降,在t=t1时辰,I=0。而后整流器件下流过反向电流IR,并且IR逐步增大;在t=t2时辰到达最大反向规复电流IRM值。尔后受正向电压的感化,反向电流逐步减小,并在t=t3时辰到达划定值Irr。从t2到t3的反向规复进程与电容器放电进程有类似的地方。

2)快规复、超快规复二极管的布局特色

快规复二极管的外部布局与通俗二极管差别,它是在P型、N型硅资料中间增添了基区I,组成P-I-N硅片。因为基区很薄,反向规复电荷很小,不只大大减小了trr值,还下降了瞬态正向压降,使管子能蒙受很高的反向任务电压。快规复二极管的反向规复时候通俗为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快规复二极管的反向规复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。

20A以下的快规复及超快规复二极管大多接纳TO-220封装情势。从外部布局看,可分红单管、对管(亦称双管)两种。对管外部包罗两只快规复二极管,按照两只二极管接法的差别,又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快规复二极管(单管)的形状及外部布局。(b)图和(c)图别离是C92-02型(共阴对管)、MUR1680A型(共阳对管)超快规复二极管的形状与机关。它们均接纳TO-220塑料封装,

几十安的快规复二极管通俗接纳TO-3P金属壳封装。更大容量(几百安~几千安)的管子则接纳螺栓型或平板型封装情势。


2.检测体例

1)丈量反向规复时候

丈量电路如图3。由直流电流源供划定的IF,脉冲产生器颠末隔直电容器C加脉冲旌旗灯号,操纵电子示波器察看到的trr值,便是从I=0的时辰到IR=Irr时辰所履历的时候。设器件外部的反向恢电荷为Qrr,有关系式:

trr≈2Qrr/IRM (5.3.1)

由式(5.3.1)可知,当IRM为必然时,反向规复电荷愈小,反向规复时候就愈短。

2)惯例检测体例

在专业前提下,操纵万用表能检测快规复、超快规复二极管的单向导电性,和外部有没有开路、短路毛病,并能测出正向导通压降。若配以兆欧表,还能丈量反向击穿电压。实例:丈量一只C90-02超快规复二极管,其首要参数为:trr=35ns,Id=5A,IFSM=50A,VRM=700V。外型同图(a)。将500型万用表拨至R×1档,读出正向电阻为6.4Ω,n′=19.5格;反向电阻则为无限大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证实管子是好的。


注重事变:

1)有些单管,共三个引脚,中间的为空脚,通俗在出厂时剪掉,但也有不剪的。

2)若对管中有一尽管子破坏,则可作为单管操纵。

3)测正向导通压降时,必须操纵R×1档。若用R×1k档,因测试电流太小,远低于管子的通俗任务电流,故测出的VF值将较着偏低。在下面例子中,若是挑选R×1k档丈量,正向电阻就即是2.2kΩ,此时n′=9格。由此计较出的VF值仅0.27V,远低于通俗值(0.6V)。


肖特基二极管和快规复二极管又甚么区分

快规复二极管是指反向规复时候很短的二极管(5us以下),工艺上多接纳掺金办法,布局上有接纳PN结型布局,有的接纳改良的PIN布局。其正向压降高于通俗二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从机能上可分为快规复和超快规复两个品级。前者反向规复时候为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。

肖特基二极管因此金属和半导体打仗构成的势垒为根本的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具备正向压下降(0.4--0.5V)、反向规复时候很短(10-40纳秒),并且反向泄电流较大,耐压低,通俗低于150V,多用于低电压场所。

这两种管子凡是用于开关电源。

肖特基二极管和快规复二极管区分:前者的规复时候比后者小一百倍摆布,前者的反向规复时候约莫为几纳秒~!

前者的长处另有低功耗,大电流,超高速~!电气特征固然都是二极管阿~!

快规复二极管在建造工艺上接纳掺金,纯真的分散等工艺,可取得较高的开关速率,同时也能取得较高的耐压.今朝快规复二极管首要操纵在逆变电源中做整流元件。


肖特基二极管:反向耐压值较低40V-50V,通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向规复时候。它是具备肖特基特征的“金属半导体结”的二极管。其正向肇端电压较低。其金属层除资料外,还能够接纳金、钼、镍、钛等资料。其半导体资料接纳硅或砷化镓,多为N型半导体。这类器件是由大都载流子导电的,以是,其反向饱和电流较以多数载流子导电的PN结大很多。因为肖特基二极管中多数载流子的存贮效应甚微,以是其频次响仅为RC时候常数限定,因此,它是高频和疾速开关的抱负器件。其任务频次可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管能够用来建造太阳能电池或发光二极管。

快规复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向规复时候,在导通和停止之间敏捷转换,进步了器件的操纵频次并改良了波形。快规复二极管在建造工艺上接纳掺金,纯真的分散等工艺,可取得较高的开关速率,同时也能取得较高的耐压.今朝快规复二极管首要操纵在逆变电源中做整流元件。

疾速规复二极管,望文生义,是比通俗二极管PN结的单向导通阀门规复快的二极管!用处也很普遍。

快规复二极管

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